实验采用MPCVD装置,以氢气和甲烷为主要气源,氮气和氩气为辅助气源在镍片上生长石墨烯薄膜,并对不同条件下制备样品进行拉曼光谱仪表征,通过拉曼光谱图中D峰和D′峰峰强来分析石墨烯缺陷含量;2D峰峰强和半高宽来分析薄膜层数。结果显示氮气等离子体离解率低,会增加成膜缺陷不利于成膜;氩气离解率较高,适量的氩气会减少缺陷含量提高膜层质量;较低功率会加速石墨的沉积,较高功率会增加sp3杂化的碳碳键的形成。
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