射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性

作者：梁继然; 胡明; 阚强; 后顺保; 梁秀琴; 陈弘达

来源：纳米技术与精密工程, 2012, (02): 160-164.

DOI：10.13494/j.npe.2012.029

• VO2薄膜
• 电致相变
• 热致相变
• 射频磁控溅射 VO2 thin film
• electric field-induced phase transition
• thermal-induced phase transition
• radio frequency magnetron sputtering

采用射频磁控溅射方法和热处理工艺制备了二氧化钒(VO2)薄膜,并制作了金属钨/VO2/金属钨三明治结构,通过改变金属钨/VO2/金属钨三明治结构中VO2薄膜与金属钨电极的接触面积,研究了VO2薄膜的电致相变特性.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针和半导体参数测试仪对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、方块电阻和I-V特性进行了测试.实验结果表明,所制备的VO2薄膜为具有热致相变特性的单一组分VO2纳米薄膜,在热激励下,薄膜的方块电阻相变幅度达到2个数量级;在电压的激励下,VO2薄膜与金属钨的接触面积为12μm×12μm时,电流发生跳变的阈值电压为9.4 V,随着接触面积的...

• 出版日期2012
• 单位中国科学院半导体研究所; 天津大学