低能低剂量注水形成SOI结构材料的研究

作者：陈静王湘董业民郑志宏陈猛王曦

来源：功能材料与器件学报, 2002, (02): 99-102.

• 低剂量注水
• 注入能量
• SOI结构 low dose water implantation
• impla nting energy
• SOI structure

采用无质量分析器的离子注入机,以低能量低剂量注水的方式代替常规SIMOX注氧制备SOI材料。测试结果表明,此技术成功地制备了界面陡峭、平整,表层硅单晶质量好的SOI结构材料。在剂量一定的条件下,研究不同注入能量对SOI结构形成的影响,使用剖面透射电镜技术(XTEM)和二次离子质谱技术(SIMS)等测试方法对注入样品和退火后样品进行分析。结果表明,表层硅厚度随注入能量增大不断增大;埋层二氧化硅厚度相对独立,仅在超低能(50keV)低剂量情况下厚度出现明显降低;埋层质量(包括界面平整度、硅岛密度等)与注入能量变化相关。

• 出版日期2002
• 单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所