薄膜体声波谐振器的测试与表征

作者：蔡洵; 高杨; 黄振华; 刘海涛

来源：微纳电子技术, 2015, 52(10): 660-665.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2015.10.009

• 薄膜体声波谐振器(FBAR)
• 品质因数
• 有效机电耦合系数
• 射频探针台
• 矢量网络分析仪
• 低阻硅

为了表征所制备的L波段通孔型AlN薄膜体声波谐振器(FBAR)的性能,使用射频探针台和矢量网络分析仪测得FBAR的S参数,扫频步长为1 MHz;为了避免使用3 dB带宽法计算FBAR Q值产生的较大误差,采用阻抗相位微分法,在ADS软件环境下计算出FBAR的Q值。比较实测的S参数及Mason模型仿真得到的S参数发现:采用低阻硅衬底会使FBAR的Q值降低;制备的FBAR中膜层的偏厚会使其谐振频率向低处漂移。制备的性能较好的FBAR,其串联谐振频率为1.509 GHz,Q值为60.4,并联谐振频率为1.523 GHz,Q值为523.4,有效机电耦合系数为2.25%。给出的FBAR片上测试与性能表征方法具有通用性。

• 出版日期2015
• 单位中国工程物理研究院; 中国工程物理研究院电子工程研究所; 西南科技大学; 重庆大学