低工作电压聚噻吩薄膜晶体管

作者：刘玉荣; 陈伟; 廖荣

来源：Acta Physica Sinica, 2010, (11): 8088-8092.

• 聚合物薄膜晶体管
• 聚三己基噻吩
• 场效应迁移率
• 高k栅介质 polymer thin-film transistors
• poly(3-hexylthiophene)
• field-effect mobility
• high-k gate dielectric

以高掺杂Si单晶片作为衬底且充当栅电极,采用磁控溅射法在硅片上沉积HfTiO薄膜作为栅介质层,聚三己基噻吩(P3HT)薄膜作为半导体活性层,金属Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质层表面修饰,在空气环境下成功地制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT).PTFT器件测试结果表明,该晶体管在低的驱动电压(<-1V)下仍呈现出良好的饱和行为,其阈值电压和有效场效应迁移率分别为0.4V和2.2×10-2cm2/V·s.通过对金属-聚合物-氧化物层-硅半导体(MPOS)结构电容器的电容-电压(C-V)特性测试发现,MPOS电容器的电容呈现出明显的频率依赖性和C-V迟滞现象,对其产生的物...

• 出版日期2010
• 单位华南理工大学