DA器件的瞬态效应研究

作者:陈莉明; 范隆; 岳素格; 郑宏超; 董攀; 马建华; 杜守刚
来源:微电子学与计算机, 2013, (06): 105-108.
DOI:10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2013.06.025

摘要

主要对国内某款抗辐射加固DA器件进行了单粒子瞬态效应的试验研究.被测器件在加速器上采用不同的粒子进行辐照,同时在真空罐外利用一款高速示波器对DA器件的输出端进行监测,一旦发现瞬态脉冲即捕获并保存.试验发现随着辐照粒子LET的升高,DA器件的瞬态效应越明显,发生的次数也越多,产生的瞬态脉冲的脉宽也不断增大.

  • 出版日期2013-6-5
  • 单位北京微电子技术研究所

全文