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摘要
由于SiC/SiO2界面固有的高界面态密度，阈值迟滞现象一直影响碳化硅MOSFET的可靠性。为量化评估阈值迟滞对碳化硅MOSFET开关特性的影响，首先考虑了驱动电压的上升与下降时间，建立了驱动电压非理想突变的开关暂态模型；其次，按照IEC标准得到开关延时与开关损耗的解析表达式；然后，进行了不同驱动负压下的动态特性实验并提取了开关延时与开关损耗；最后，通过实验结果与解析模型的结合，解耦并量化了驱动负压与阈值迟滞对开关特性的影响，得到了阈值迟滞影响下驱动负压与阈值电压的关系。结果表明，驱动负压与阈值迟滞均会引起开通延时降低，但阈值迟滞对其影响远大于驱动负压。驱动负压对开通损耗无影响，但阈值迟滞会导致开通损耗的降低。
- 出版日期2023
- 单位国网上海市电力公司; 华北电力大学; 新能源电力系统国家重点实验室
