GaN外延薄膜点缺陷与材料电学光学性质关系研究

作者：杨传凯

来源：其他, 2011.

• GaN(氮化镓)
• 点缺陷
• 漏电
• 黄带发光
• SIMS(二次离子质谱) GaN(Gallium Nitride)
• point defects
• leakage current
• yellow luminescence(YL)
• SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)

GaN材料作为一种第三代半导体材料,具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等优点,目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、高频微波大功率器件。器件级的GaN材料大多数都是在异质衬底上用MOCVD的方法外延得到的。由于衬底和GaN外延层之间存在较大的晶格失配和热失配,以及材料的生长方式,导致GaN外延层中存在很多的缺陷,这些缺陷主要包括高密度的位错和各种点缺陷。高密度的缺陷会影响器件工作的方方面面,因此探究不同种类的缺陷对材料和器件产生的不同影响,以及如何获得低缺陷密度的GaN材料是本领域的研究重点。GaN材料作为一种新型的半导体材料,人们对材料特性的研究仍然不够充分,与GaN材料相关的很多物...

• 出版日期2011
• 单位西安电子科技大学