本发明属于半导体材料领域,公开了一种热蒸发制备二氧化锡晶体的方法。以SnO作为源材料,放置于管式炉中心加热区,将洗净的表面掺二氧化硅的硅片作为衬体,放置在距源材料12～20cm处；将管式炉内抽真空,然后通入Ar气；加热管式炉中心加热区温度为600～1200℃进行热蒸发沉积,在衬体上得到二氧化锡晶体。本发明的制备方法简单,所需的药品以及实验仪器都是普通常见的,不需要作特殊处理。并且所制得的方形二氧化锡晶体不易受到污染,形状规则。
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