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摘要
性能优良的ZnO压电薄膜要求其多晶聚集体晶粒的c轴取向度高、离散角小、平均c轴偏差角小等。本文指出现行文献中这些参数测定方法和概念的不当之处,并提出ZnO压电薄膜若干重要的晶体结构评价参数(择优取向度f和比取向度f_εd)、离散角δ和离散度△,平均c轴偏差角γ及方位、晶粒度D、残余应力σ)的X射线测定方法。
- 出版日期1985
- 单位中国科学院上海硅酸盐研究所
性能优良的ZnO压电薄膜要求其多晶聚集体晶粒的c轴取向度高、离散角小、平均c轴偏差角小等。本文指出现行文献中这些参数测定方法和概念的不当之处,并提出ZnO压电薄膜若干重要的晶体结构评价参数(择优取向度f和比取向度f_εd)、离散角δ和离散度△,平均c轴偏差角γ及方位、晶粒度D、残余应力σ)的X射线测定方法。
