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一种改进型高线性度压控增益衰减器

李迪; 费春龙; 杨银堂; 李娅妮; 陈韵
西安电子科技大学
西安电子科技大学

摘要

本发明涉及一种改进型高线性度压控增益衰减器,包括模拟参考电压产生器、电压跟踪与比较器阵列和CMOS晶体管衰减阵列。本发明在传统压控衰减器的核心电路基础上进行改进,采用CMOS晶体管衰减阵列代替传统的单个衰减晶体管,以实现大动态范围的衰减增益;采用电压跟踪与比较器阵列对CMOS晶体管衰减阵列进行控制,提高衰减增益的线性度;采用电阻分压方法为所有衰减晶体管提供衬底电压,保证晶体管衰减阵列正、负信号支路的对称性,提高衰减器的失真性能。

关键词

-

出版信息

专利状态
其他(授权以外的其他状态)
专利国别
CHINA
申请日期
2018-9-11
申请号
CN201811055254.8

学科领域

计算机科学与技术物理学

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