一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法

作者：宁洪龙; 刘贤哲; 姚日晖; 李晓庆; 张啸尘; 吴为敬; 徐苗; 王磊; 彭俊彪

来源：2017-06-14, 中国, CN201710447622.2.

本发明属于显示器件技术领域,公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜栅极,然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层,然后在350℃～450℃空气中进行退火处理,最后在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极Mo,并在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层,得到得到所述氧化物薄膜晶体管。本发明通过退火处理后,可在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层,阻碍电极材料原子向有源层中扩散,实现源/漏电极和有源层之间欧姆接触,并有效地减少工艺步骤,降低成本。

• 出版日期2017-6-14
• 单位华南理工大学