HfAlOx/γ-Fe2O3/HfAlOx纳米堆栈结构的电阻开关特性

作者：郑烨; 张祎杨; 朱华星; 王瑞雪; 张道扬; 邱晓燕

来源：中国科学:物理学 力学 天文学 , 2015, 45(03): 80-87.

• γ-Fe2O3纳米微粒
• HfAlOx薄膜
• 电阻开关特性

本文用磁控溅射和旋涂法成功制备了HfAlOx/γ-Fe2O3/HfAlOx堆栈结构,该堆栈结构具有典型的双极性电阻开关特性:在-1V读取电压下可获得高达90的高/低电阻态阻值比,该比值可稳定维持近50个循环周期,远优于相同条件下制备的γ-Fe2O3纳米微粒薄膜.线性拟合电流-电压对数曲线结果表明,低电阻态时,样品漏电流特性满足欧姆隧穿机制;高电阻态时,低电场下的漏电流以缺陷主导的空间电荷限制隧穿电流为主,高电场下为串联内置电阻的欧姆隧穿电流;该堆栈结构的电阻开关特性是"体导电细丝通道"和"电场作用下界面势垒改变"共同作用的结果.

• 出版日期2015