真空热蒸发制备ZnS薄膜及其特性的研究

作者：权乃承; 高斐; 孙杰; 刘立慧; 郝培风

来源：电源技术, 2010, (01): 28-31.

• ZnS薄膜
• 热蒸发
• 光学带隙
• Burstin-Moss效应 ZnS thin film
• thermal evaporation
• optical band gap
• Burstin-Moss effect

用真空热蒸发在不同衬底温度下制备了ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDAX)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和原子力显微镜(AFM)研究了ZnS薄膜的晶体结构、成分、光学性能和形貌,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响。结果表明,所制备的ZnS薄膜呈立方闪锌矿结构,衬底温度为300℃所制备的ZnS薄膜原子比(S/Zn)为0.95/1;薄膜表面均匀致密,呈多晶态,晶粒尺寸为18.2nm;在可见区有好的透射性能,光学禁带宽度为3.82eV。

• 出版日期2010
• 单位陕西师范大学