摘要

通过抗静电剂与纳米粉体复配制备抗静电母粒,研究了5%、10%2种改性纳米SiO2粉体对薄膜光学及抗静电性能的影响,并利用SEM对抗静电剂及纳米粉体在薄膜中的形貌进行了表征。结果表明:薄膜雾度随改性百分比的增加而增大,对透光率的影响不大。薄膜表面电阻率在1w内,2种改性百分比的薄膜表面电阻率差异不大,都能由1010Ω降到109Ω,抗静电效果较好,但是1w后,10%改性的薄膜表面电阻率呈持续增大的趋势,只是增大的幅度逐渐减小,5%改性的薄膜表面电阻率呈先降低再增高的趋势,增大的数值比10%改性的薄膜约小一个数量级,因此,5%改性纳米SiO2粉体抗静电薄膜性能较好。

  • 出版日期2015
  • 单位贵州省纳米材料工程中心; 乌海职业技术学院