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纳米硅薄膜研究的最新进展
作者:彭英才; 何宇亮
来源:
稀有金属
, 1999, (01): 43-56.
纳米硅薄膜
制备方法
结构特征
输运性质
光学特性 Nanometer silicon film
Fabrication method
Structure characteristic
Transport property
Photoluminescence property
摘要
纳米硅薄膜(ncSi∶H)是一种新型低维人工半导体材料,它具有新颖的结构特征与独特的物理性质。综合评述了这种材料在制备方法、结构特征、输运性质和发光特性等方面的最新研究进展,并指出了今后的发展方向。
出版日期
1999
单位
北京航空航天大学
;
河北大学
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