区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚,对高纯度产品质量的过程管控、工艺技术路线及检测分析方法等基础性研究薄弱。本文重点分析了硅烷CVD法和改良西门子法制备区熔用多晶硅的技术路线,从产品原料控制、核心设备结构、关键材料、反应机理等方面进行了综合分析,在总结不同工艺路线特点的基础上对区熔多晶硅相关领域的发展前景进行了展望。
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