单层石墨烯场效应晶体管制备及低温导电特性

作者：姜久兴; 曹兴宇; ***; 王纪钰

来源：低温物理学报, 2017, 39(03): 18-22.

DOI：10.13380/j.cnki.chin.j.lowtemp.phys.2017.03.004

• 化学气相沉积
• 单层石墨烯
• 电子迁移率
• 场效应晶体管
• P型掺杂效应

采用化学气相沉积法（CVD）制备单层石墨烯,将其转移到300nm厚的SiO2/Si衬底上.通过真空蒸镀法在石墨烯表面沉积Au电极,获得SiO2/Si背栅石墨烯场效应晶体管,对其进行低温导电特性的测试.结果表明,背栅石墨烯场效应晶体管呈双极导电性,并表现出P型导电特性.室温下器件的电子迁移率为3478cm2/V.s,开关比（on/off）为1.88.在低温下器件的电子迁移率降至2913cm2/V.s,开关比上升到2.53,狄拉克点左移,P型掺杂效应减弱,温度对器件起到调制作用.

• 出版日期2017
• 单位哈尔滨理工大学