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摘要
本发明公开了一种低粗糙度低功耗高熵金属氧化物介电层及其制备方法与应用。所述方法为：将含锆、铝、镁、铪和钇的无机金属盐溶于有机溶剂中得到前驱体溶液；将前驱体溶液旋涂于衬底上,进行预退火,然后进行热退火处理,得到高熵氧化物介电层薄膜。本发明利用五种常用介电材料元素(Al,Zr,Mg,Y,Hf)的协同作用和熵的主导作用来制备高熵金属氧化物薄膜,并通过增加小半径原子-Zr～(4+)的占比来填补薄膜空隙,从而达到降低粗糙度的目的,在增加熵值的同时保证薄膜的平整性,从而获得一个低粗糙度低功耗的介电层。
- 出版日期2021-12-23
- 单位华南理工大学
