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摘要
采用传统的光刻和湿法腐蚀工艺制作了1 55μm波长的新型半导体激光器和模斑转换器的单片集成器件.其中激光器采用脊型双波导,模斑转换器采用掩埋双波导结构,水平楔型的有源波导和宽而薄的无源波导同时控制光斑模式大小.实验测得器件的阈值电流为40mA,斜率效率为0 35W/A,水平和垂直方向的远场发散角分别为14 89°和18 18°,与单模光纤的耦合损耗为3dB.
- 出版日期2005
- 单位中国科学院半导体研究所
采用传统的光刻和湿法腐蚀工艺制作了1 55μm波长的新型半导体激光器和模斑转换器的单片集成器件.其中激光器采用脊型双波导,模斑转换器采用掩埋双波导结构,水平楔型的有源波导和宽而薄的无源波导同时控制光斑模式大小.实验测得器件的阈值电流为40mA,斜率效率为0 35W/A,水平和垂直方向的远场发散角分别为14 89°和18 18°,与单模光纤的耦合损耗为3dB.
