不同沉积速率微晶硅薄膜生长模式的蒙特卡洛模拟研究

作者：王志永; 朱志立; 谷锦华; 丁艳丽; 卢景霄

来源：真空科学与技术学报, 2010, (06): 632-635.

• 蒙特卡洛模拟
• 微晶硅薄膜
• 椭偏谱仪
• 生长模式 Monte Carlo simulations
• μc-Si∶H
• Spectroscopic ellipsometer
• The growth mode

采用标度理论比较了不同速率下微晶硅薄膜的生长模式。结果是:低速时薄膜的生长指数为0.19,高速时薄膜的生长指数为0.61,两者生长机理明显不同。通过蒙特卡洛模拟薄膜生长过程,结果表明:生长基元的粘附系数和扩散能力对不同生长速率下薄膜的生长有较大的影响。

• 出版日期2010
• 单位郑州大学