电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件

作者：曾建平; 安宁; 李志强; 李倩; 唐海林; 刘海涛; 梁毅

来源：太赫兹科学与电子信息学报, 2018, 16(01): 17-37.

• T型栅
• 应变高电子迁移率晶体管
• 电流增益截至频率
• 最高振荡频率

为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅极。In Al As/In Ga As异质结Ga As-m HEMT器件的直流特性和高频特性分别通过Agilent B1500半导体参数分析仪和Agilent 360 B矢量网络分析仪测试。直流测试结果显示,210 nm栅长In Al As/In Ga As沟道Ga As-m HEMT单指器件的最大有效输出跨导(gm:max)为195 m S/mm,器件最大沟道电流160 m A/mm。射频测试结果显示,电流增益截至频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为46 GHz和115 GHz。同时欧姆电极特性和栅极漏电特性也被表征,其中栅极最大饱和漏电流密度小于1×10-8 A/μm。

• 出版日期2018
• 单位中国工程物理研究院; 中国工程物理研究院电子工程研究所