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摘要
本实用新型公开了一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极,包括GaN基HEMT外延层,GaN基HEMT外延层内设置有GaN沟道层,电极包括在GaN基HEMT外延层的上表面从下到上依次排列设置第一金属层Ti、第二金属层Al和第三金属层TiW,或从下到上依次排列设置第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属层Ti和第四金属层TiW。还相应公开了该电极的制备方法。本实用新型有效降低GaN基HEMT欧姆接触的退火温度,改善AlGaN势垒层整体刻蚀造成的2DEG泄露和形成欧姆接触时的电流减少,降低了欧姆接触的形成难度,低温退火合金后的欧姆接触表面形貌及边缘更加平整。同时有助于降低GaN基HEMT器件的制造成本。
- 出版日期2020-12-11
- 单位中山市华南理工大学现代产业技术研究院
