4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管(英文)

作者：孙国胜; 宁瑾; 高欣; 攻全成; 王雷; 刘兴日方; 曾一平; 李晋闽

来源：人工晶体学报, 2005, (06): 1006-1010.

• 4H-SiC
• 同质外延生长
• 肖特基二极管 4H-SiC
• homoepitaxial growth
• Schottky barrier diodes

利用台阶控制外延生长技术在偏晶向S i-面衬底上进行了4H-S iC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2~5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-S iC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在室温下超过107,在265℃的温度下超过102,在20~265℃的温度范围内,利用电流电压测量研究了二极管的电学特性,室温下二极管的理想因子和势垒高度分别为1.33和0.905 eV,开态电流密度在2.0V的偏压下达到150A/cm2,比开态电阻(Ron)为7.9mΩ.cm2,与温度的关系遵守...

• 出版日期2005
• 单位中国科学院半导体研究所