射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性

作者：余旭浒马瑾计峰王玉恒王翠英马洪磊

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2005, (02): 314-318.

• 磁控溅射
• ZnO∶Ga
• 光电特性 magnetron sputtering
• ZnO∶Ga films
• electrical and optical properties

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 (ZnO∶Ga)透明导电膜 ,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究 .制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳择优取向为 (0 0 2 )方向 .薄膜的最低电阻率达到了 3 9× 10 -4Ω·cm ,方块电阻约为 4 6Ω/□ ,薄膜具有良好的附着性 ,在可见光区的平均透过率达到 90 %以上 .

• 出版日期2005
• 单位山东第一医科大学