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An Optimized Resistance Characterization Technique for the Next Generation Magnetic Random Access Memory
作者：Li Fei; Lua Sunny Yan Hwee; Mani Aarthy
来源：
IEEE Transactions on Nanotechnology
, 2015, 14(3): 540-545.
DOI：10.1109/TNANO.2015.2415524
出版日期
2015-5
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