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An explicit current-voltage model for undoped double-gate MOSFETs based on accurate yet analytic approximation to the carrier concentration (vol 51, pg 179, 2007)

作者：He, Jin*; Bian, Wei; Tao, Yadong; Liu, Feng; Lu, Kailiang; Wu, Wen; Wang, Ting; Chan, Mansun
来源：Solid-State Electronics, 2007, 51(5): 816-816.
DOI：10.1016/j.sse.2007.03.003

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更新时间：2019-09-02 21:18