采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了4H-SiC的本征态的电子结构以及4H-SiC材料N掺杂后的电子结构,计算结果表明:与本征态相比,N掺杂后的4H-SiC的导带与价带均向低能端移动,导带移动幅度大于价带,使得掺杂后的禁带宽度小于本征态的禁带宽度:导带底进入N的2s态和2p态,但它们所占比重小,掺杂浓度变化对导带底影响较小;价带顶进入N的2p态,随掺杂浓度增加,其向低能端移动较多,使得禁带宽度增大。
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