增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT(英文)

作者：王冲; 张金凤; 全思; 郝跃; 张进城; 马晓华

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, (09): 1682-1685.

• 高电子迁移率晶体管
• AlGaN/GaN
• 槽栅
• 阈值电压

成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大跨导为221mS/mm,阈值电压为0.57V,ft和fmax分别为5.2和9.3GHz.比较刻蚀前后的肖特基I-V特性,证实了槽栅刻蚀过程中非有意淀积介质层的存在.深入研究了增强型器件亚阈特性和频率特性.

• 出版日期2008-9-15
• 单位西安电子科技大学