单壁碳纳米管随机网络场效应晶体管

作者：许高斌; 王鹏; 陈兴; 常永嘉

来源：微纳电子技术, 2010, (09): 532-536.

• 单壁碳纳米管随机网络
• 场效应晶体管
• 超声分散
• 萌罩式电子束蒸发
• 背栅 SWCNTs random network
• field effect transistor
• ultrasonic dispersion
• shadow mask electron beam evaporation
• back-gate

使用超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNT),利用匀胶机把分散获得的、含有SWCNT的悬浮液均匀旋涂于SiO2/Si基上,利用萌罩式电子束蒸发技术在碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏源Au电极。该制备技术避免了碳纳米管器件更多的化学接触,有效确保碳纳米管的纯度。该碳纳米管场效应晶体管器件采用重掺杂Si作为背栅、SWCNT随机网络薄膜为导电沟道。在室温环境下利用Keithley-4200对器件性能进行了测试分析,器件开启电流约为1μA,峰值跨导为326nS。该方法制备的SWCNT随机网络场效应晶体管,具有工艺实现简单、器件性能稳定、重复性和一致性好等特点,并可以用于构建CNT逻辑电路。该...

• 出版日期2010
• 单位合肥工业大学