一种低触发电压高维持电压可控硅静电防护器件的设计与实现

作者：郝山万; 汪洋; 金湘亮

来源：电子世界, 2018, (03): 114-115.

DOI：10.19353/j.cnki.dzsj.2018.03.060

• SCR
• 触发电压
• 维持电压
• TLP测试

本文针对低压5V CMOS工艺中SCR(可控硅)静电防护器件高触发电压和低维持电压的缺点,在传统简单SCR的基础上,设计了一种新器件结构,该结构改变器件击穿面降低触发电压,通过内镶二极管的方式提高器件维持电压,避免闩锁风险。设计器件在0.5um CMOS工艺下进行了流片测试,TLP测试结果表明,内镶二极管的SCR新结构,其触发电压从18.89V降低到13.04V,维持电压从3.83 V提高到5.20V,适用于5V工作电压的芯片保护,有效解决了CMOS工艺中可控硅静电防护器件高触发电压和低维持电压的缺点。

• 出版日期2018