双有源层a-IGZO/a-IZO界面态对薄膜晶体管电学特性影响的模拟研究

作者：李俊杰^*; 向超; 彭小毛; 潘东; 钟传杰

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(06): 406-410.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.06.003

• 双有源层
• 界面态
• 器件模拟
• 非晶氧化物薄膜晶体管

利用仿真软件Silvaco对双有源层非晶氧化物薄膜晶体管a-IGZO/a-IZO TFT进行模拟,研究了不同有源层厚度比下a-IGZO/a-IZO界面态对器件阈值电压与亚阈值摆幅的影响,分析了界面态密度的变化对器件阈值电压的影响。仿真结果表明:界面态的存在会使器件的阈值电压和亚阈值摆幅增大,界面导带尾态密度和界面价带尾态密度均为2×1011 cm-2/eV且a-IZO层厚度为5 nm时界面态对这两个参数的影响最大,变化幅度分别为1.02 V和0.11 V/dec,界面导带尾态密度和尾态特征斜率的增大都会造器件阈值电压的增大。

• 出版日期2019
• 单位机械工业第六设计研究院; 江南大学