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摘要
采用宽频带导纳测试系统研究了Ｈｇ０．６６Ｃｄ０．３４Ｔｅ－ＣｄＴｅ异质结构和Ａｌ－半绝缘ＣｄＴｅ－Ｈｇ０．６６Ｃｄ０．３４Ｔｅ结构样品的变频导纳特性，分析了不同结构样品的测试结果，表明：异质结ＨｇＣｄＴｅ表面空穴积累，ＣｄＴｅ表面空穴耗尽，界面处的势垒使载流子局限于ＨｇＣｄＴｅ体内．样品的光伏响应光谱在２９７０ｃｍ－１和３６５０ｃｍ－１处各有一个响应峰，前者对应于界面ＨｇＣｄＴｅ的本征光伏效应，后者对应于ＨｇＣｄＴｅ表面积累层内空穴被激发越过空穴势垒引起的光伏效应，相应于空穴势垒约为０．４１ｅＶ．
- 出版日期1996
- 单位中国科学院上海技术物理研究所
