AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术

作者：黄俊; 魏珂; 刘新宇

来源：功能材料与器件学报, 2009, (02): 193-196.

• AlGaN/GaN
• HEMT
• 凹栅槽
• 低损伤刻蚀
• C2H4 AlGaN/GaN
• HEMT
• recessed gate
• low damage etching
• C 2H 4

对AlGaN/GaNHEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性,提高了栅极调控能力,实现凹栅槽的低损伤刻蚀。

• 出版日期2009
• 单位中国科学院微电子研究所