青霉素在硼掺杂金刚石薄膜电极上的电化学行为研究

作者：曲有鹏; 吕江维; 冯玉杰^*; 张杰

来源：应用化工, 2020, 49(08): 1888-1898.

DOI：10.16581/j.cnki.issn1671-3206.20200611.021

• 硼掺杂金刚石
• 循环伏安
• 电化学阻抗谱
• 电化学行为
• 青霉素

采用直流等离子体化学气相沉积法制备了硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极。利用循环伏安法(CV)和电化学交流阻抗谱(EIS)研究青霉素在BDD电极上的电化学过程,并利用等效电路对相关的电极动力学参数进行了拟合。研究表明,青霉素G钠在电极上的电化学氧化过程为不可逆过程,氧化峰电位为2.2 V,没有还原峰出现,电极表面有中间产物的吸附,但在高于水分解电压下氧化能够恢复原来的活性。当电极电位在开路电位(OCP)至1.5 V时,电极过程由电荷传递过程和传质扩散过程共同控制,即电化学极化与浓差极化同时存在;当电极电位在1.8～2.5 V时,电极过程由电荷传递过程控制。

• 出版日期2020
• 单位哈尔滨工业大学; 哈尔滨商业大学; 城市水资源与水环境国家重点实验室