MPS二极管的少子特性仿真

作者：孙霞霞; 汪再兴^*; 刘晓忠; 郑丽君; 王永顺

来源：半导体技术, 2019, 44(04): 270-285.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.04.005

• 混合pin/肖特基(MPS)二极管
• 少数载流子浓度
• 高频特性
• 反向恢复时间
• 漂移区

混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性。对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析。仿真结果表明,MPS二极管的p+区向漂移区注入的少数载流子浓度随外加正向电压和pn结面积占元胞总面积比例的增大而增大。虽然漂移区的少数载流子改变了MPS二极管的工作模式,增大了电流,但是存储在漂移区的少数载流子增大了反向峰值电流和恢复时间,进而增大了功耗并降低了关断速度。折中考虑正向电流和反向恢复特性,可获得具有正向电流大、反向峰值电流小和反向恢复时间短的MPS二极管。

• 出版日期2019
• 单位兰州交通大学