混合气体比例对脉冲直流PCVD制备TiN/TiSiN涂层的影响

作者:吴春涛; 周彤; 曾祥才; 薛峰; 胡恒宁
来源:工具技术, 2015, 49(04): 16-17.
DOI:10.16567/j.cnki.1000-7008.2015.04.007

摘要

采用工业用直流脉冲等离子体增强化学气相沉积PCVD技术在硅烷、氢气和氮气的混合气氛下成功制备了Ti Si N涂层,重点讨论了混合气体比例对薄膜性能的影响。结果表明:当混合气体中H2∶N2为4∶1、硅烷流量为2sccm时,Ti N/Ti Si N涂层中硅含量为8.01at%,此时,获得此工艺薄膜的最高硬度为28GPa。

  • 出版日期2015
  • 单位成都工具研究所有限公司

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