L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验

作者：黄雒光; 董四华; 刘英坤; 郎秀兰

来源：半导体技术, 2009, (05): 494-497.

• 硅微波脉冲功率晶体管
• 加速老化
• 可靠性
• 寿命试验
• Arrhenius模型 Si microwave pulse power transistor
• accelerated fatigue
• reliability
• lifetime test
• Arrhenius model

Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。

• 出版日期2009
• 单位中国电子科技集团公司第十三研究所