分子束外延技术的发展和应用

作者：孔梅影

来源：稀有金属, 1982, (02): 57-64.

DOI：10.13373/j.cnki.cjrm.1982.02.013

• 晶格结构
• 掺杂剂
• 异质结
• 双异质结激光器
• 分子束外延技术
• 发展和应用

近十年来,分子束外延技术(简称MBE)以其独特的优点在多方面取得了令人注目的发展。本文从六个方面讨论了MBE技术目前的发展情况。MBE GaAs、Si和InGaAsP等材料的水平已可与VPE和LPE的相比。MBE生长动力学的研究已进展到对三元,四元混晶进行研究。研制器件级材料必须解决掺杂问题,Be和Si分别是MBE GaAs比较好的P型和N型掺杂剂。MBE已成功地研制出多种微波、激光和光电器件,GaAs/AlGaAs双异质结激光器的阈电流密度已降低到可和LPE的最低值相比。MBE金属-半导体,绝缘体-半导体异质结及其界面特性的研究和MBE薄膜表面的研究都有所发展。讨论了GaAs/GaAlAs和...

• 出版日期1982
• 单位中国科学院半导体研究所