一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用

作者：冯毅龙; 卢振亚; 吕明; 曾石稳

来源：2021-09-23, 中国, ZL202111112404.6.

本发明属电容器制备技术领域,尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO-3单晶基晶界层电容器材料,包括第一半导体化SrTiO-3单晶片,第二半导体化SrTiO-3单晶片,设置于所述第一半导体化SrTiO-3单晶片和第二半导体化SrTiO-3单晶片之间的金属氧化物绝缘层,所述第一半导体化SrTiO-3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层,所述第二半导体化SrTiO-3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。

• 出版日期2021-9-23
• 单位华南理工大学