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Low residual doping level in homoepitaxially grown ZnO layers (vol 92, art no 141101, 2008)
作者：Robin I C
*
; Ribeaud A; Brochen S; Feuillet G; Ferret P; Mariette H; Ehrentraut D; Fukuda T
来源：
Applied Physics Letters
, 2008, 92(20): 209904.
DOI：10.1063/1.2932096
出版日期
2008-5-19
单位
中国地震局
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