单斜型二氧化钒材料光电性质的理论研究

作者：王晓中; 何捷; 刘强; 宋婷婷; 王玲珑; 郭英杰; 林理彬

来源：中国激光, 2010, (02): 560-566.

• 光电性质
• 带隙宽度
• 电荷自洽离散变分法
• 二氧化钒 photoelectric properties
• energy gap
• self consistent of charge-discrite variation-embedded cluster model
• VO_2

采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法(SCC-DV-X_a-ECM)对单斜型VO_2的电子结构和光电性质进行了计算。计算结果表明,单斜型VO_2带隙宽度为0.4411 eV,费米能级在带隙中间以上0.00365 eV靠近导带处,和实验数据符合得很好。单斜型VO_2的总能(-568.18 eV)比金红石型VO_2(-470.33 eV)小,说明外加能量如升高温度会使单斜型VO_2相变至金红石型VO_2。吸收系数在低频率段和实验情形符合得很好,光电导率在2.5～13.5 eV的变化趋势和其他的理论分析是一致的。

• 出版日期2010
• 单位四川大学