(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响

作者：乔丽萍; 王聪华; 李淑萍; 李丽; 俞丽娟; 何磊

来源：电子器件, 2014, (01): 9-12.

• 应变张量
• 简并度
• 晶向
• 张应力 strain tensor
• degeneracy
• crystal direction
• tensile stress

由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分立的能谷;(101)单轴张应力下,沿45°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显减小,沿0°和90°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大;(101)单轴压应力下,Si材料沿高对称晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大或几乎不变。

• 出版日期2014
• 单位西安电子科技大学; 西藏民族大学