电子元件散热装置的烟囱效应分析

作者：李静; 姬升涛; 刘建勇; 余美玲

来源：电子与封装, 2011, 11(06): 36-40.

DOI：10.3969/j.issn.1681-1070.2011.06.010

• 烟囱效应
• 数值模拟
• 临界点
• 回流现象 stack effect
• numerical simulation
• critical point
• reflow phenomenon

目前中小型电子发热元件的散热以自然对流散热方式为主,针对多数散热器不能发挥其结构优势来增强自然对流,导致散热性能差、体积笨重等问题,运用计算流体力学(CFD)数值模拟的方法,设计具有"烟囱效应"结构的散热器,简化散热器模型结构,研究高、宽、热流密度的变化对自然对流的影响及三者之间的变化规律,用于指导散热器的设计。结果表明:热流密度为1 000W/m2、高为50mm时,温度达到最低值时的宽度为19mm,此时为该热流密度下的临界点;以临界点时的高宽比为基准,高宽比小于基准时,有回流现象;热流密度从1 000W/m2增加到15 000W/m2,不同高度下临界宽度先减小,后趋于固定值。

• 出版日期2011
• 单位华南理工大学