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摘要
分别采用传统陶瓷制备工艺和流延法制备了NiCuZn系铁氧体材料以及长宽为125 mm×125 mm、厚度为50~200μm的NiCuZn铁氧体电磁屏蔽片。研究了NiCuZn铁氧体材料中的Zn含量对铁氧体电磁屏蔽片磁导率的影响。测试并分析了RFID卡可读写距离恢复比例与其S11曲线以及RFID卡S11曲线与紧贴其背后的铁氧体电磁屏蔽片的磁导率之间的关系。结果表明,适当提高铁氧体材料中的Zn含量,可以提高其电磁屏蔽片的磁导率,从而降低RFID卡S11曲线吸收峰频率的偏移,进而提高RFID卡可读写距离恢复比例。
- 出版日期2013-12-25
- 单位华中科技大学
