快速热氧化制备超薄二氧化硅层及其钝化效果

作者：郭春林; 汪雷; 戴准; 房剑锋; 郑佳毅; 杨德仁

来源：材料科学与工程学报, 2015, 33(01): 17-21.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2015.01.005

• RTO
• SiO2薄膜
• 太阳电池
• 钝化

二氧化硅(SiO2)是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段。本文利用快速热氧化(RTO)技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用。在100%O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的最佳值。采用RTO方法制备的SiO2薄膜厚度可以控制在几个纳米范围。通过与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统沉积的氮化硅(SiNx)薄膜形成叠层钝化膜,可以进一步提高对太阳电池表面的钝化效果。单层SiNX薄膜钝化的样品有效载流子寿命为51.67μs,SiO2/SiNx叠层薄膜钝化的样品有效载流子寿命提高到151.18μs。

• 出版日期2015
• 单位浙江大学; 硅材料国家重点实验室