铌酸锂晶体中本征缺陷的模拟计算

作者：贺祥珂; 高翠玲; 邴欣; 陈淑祥; 袁浡; 王恬; 马保民; 韩智峰; 于洋

来源：科技创新导报, 2013, (24): 207-208.

DOI：10.16660/j.cnki.1674-098x.2013.24.013

• 铌酸锂
• 本征缺陷
• GULP
• 模拟计算

在现有晶体势参数的基础上,利用GULP软件计算了铌酸锂(LiNbO3,LN)晶体的各类本征缺陷的缺陷生成能,并对LN晶体中可能存在的缺陷反应进行了讨论。结果表明,LN晶体中最容易形成(++4VLi-+Nb4+Li)缺陷,且这两类点缺陷倾向于以缺陷簇的形式存在。与此同时,LN晶体中还可能形成(2VLi-+V2+O)缺陷。

• 出版日期2013
• 单位山东省产品质量监督检验研究院