AZ31镁合金基材非平衡磁控溅射镀膜工艺研究

牟宗信; 臧海蓉; 刘冰冰; 林曲; 丁安邦; 王春; 董闯

doi:10.3969/j.issn.1672-7126.2012.01.02

摘要

采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在AZ31镁合金基底上制备出氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪、电子探针、X射线衍射仪等研究了氮气流量比率对氮化硅薄膜的成分、微观结构的影响。通过对薄膜力学性能和抗腐蚀性能的检测分析了氮化硅薄膜对AZ31镁合金基底表面改性的作用。结果表明:中频孪生非平衡磁控溅射技术制备的薄膜为非晶态富N氮化硅。随着氮气流量比率的增加,薄膜的沉积速率降低,Si含量减少。在AZ31镁合金基底上制备氮化硅薄膜有效提高了基底的力学性能和抗腐蚀性能,显微硬度得到显著提高,腐蚀电流密度降低了3个数量级,并且薄膜与基底之间的结合力良好。

出版日期2012
单位大连理工大学

全文

访问全文

收藏分享被引浏览

更新时间：2020-03-23 08:38

AZ31镁合金基材非平衡磁控溅射镀膜工艺研究

摘要

全文

产品服务

站内浏览

服务支持

联系方式

科研之友