摘要

采用中芯国际(SMIC)0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺实现了功耗为160mW、速率为10Gb/s的16:1复接器。该复接器采用可以分级优化的树型结构。低速(622Mb/s→5Gb/s)复接和低速(2.5GHz→622MHz)分频单元采用CMOS逻辑电路实现,高速(5Gb/s→10Gb/s)复接和高速(5GHz→2.5GHz)分频单元采用源极耦合场效应管逻辑(SCFL)电路实现。测试结果表明,在1.8V的工作电压下,芯片可以稳定工作在10Gb/s的速率上,输出信号逻辑正确,眼图良好,单端峰-峰值180mV。