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摘要
研究电子辐照对发光二极管(Light emitting diode,LED)性能的影响。利用电子加速器提供的电子束模拟空间电子辐射环境,试验时电子的能量是1.0 MeV,辐射最大剂量为1×106rad(Si)。辐照期间,采用异位测试的方法进行光学量和电学量的测量,并进行辐射后退火效应的研究。结果表明:随着辐照剂量的增加,LED的输出光功率近似线性衰减,其正向压降V增大,且不同的试验条件对LED性能损伤的程度不同。此外,辐射停止后的一段时间,器件的性能有所恢复,并趋于稳定。同时利用电子辐照机理对试验结果进行理论分析和讨论。
- 出版日期2013
- 单位哈尔滨工业大学
